打破日(ri)企壟斷隻(zhi)是時間問(wen)題？東進半(ban)導體宣布(bu)與三星成(cheng)🤑功🔞研發EUV光(guang)刻膠

　　據韓(han)媒etnews報道，韓(han)國東進半(ban)導體與三(san)星電子合(he)作，成功開(kai)發😝了超細(xi)半導體加(jia)工必不可(ke)少的材料(liao)——極紫外(EUV)光(guang)刻膠(PR)。EUV光刻(ke)膠是因其(qi)技術難度(du)高而完全(quan)依賴國外(wai)的産品，此(ci)😥次韓國通(tong)過國内企(qi)業合作實(shi)現了國産(chan)化，意味着(zhe)日企壟斷(duan)的打😁破。

 

東(dong)進半導體(ti)華城工廠(chang)鳥瞰圖，來(lai)源：etnews

 

　　11月22日，東(dong)進半導體(ti)宣布于近(jin)期通過了(le)三星電子(zi)的EUV光刻🧜🏼‍♂️膠(jiao)😈可靠性測(ce)試，發布此(ci)消息後，截(jie)至11月22日上(shang)午11時45分🔞，東(dong)進半導體(ti)股👋價較前(qian)一交易日(ri)上漲12.8%。

 

　　一位(wei)熟悉此事(shi)的業内人(ren)士表示，“東(dong)進半導體(ti)在其位于(yu)京畿😍道華(hua)城的工廠(chang)開發了 EUV光(guang)刻膠，并在(zai)三星🧑🏽‍🎄電子(zi)的華城EUV生(sheng)産線上對(dui)其進行了(le)測試，并獲(huo)得了🧎🏻‍♀️‍➡️最終(zhong)的可靠性(xing)👨🏻‍🏭認證。”

 

三星(xing)電子， 來源(yuan)：etnews

　　光刻膠是(shi)半導體曝(pu)光工藝中(zhong)的關鍵材(cai)料。它被施(shi)加在👨🏻‍🏭晶片(pian)上，當用半(ban)導體曝光(guang)設備照射(she)光時，會發(fa)生化~學反(fan)♌️應并改變(bian)物理特性(xing)。通過用顯(xian)影劑沖洗(xi)掉來繪制(zhi)微電路，隻(zhi)留下必要(yao)👨🏻‍🏭的部分。

 

　　在(zai)韓國，用于(yu)KrF和ArF工藝的(de)光刻膠已(yi)大量生産(chan)，但沒有用(yong)于可以繪(hui)制更精細(xi)電路的EUV光(guang)刻膠，大部(bu)分需要👌依(yi)賴日本進(jin)口。此外在(zai)2019年，日本與(yu)韓國爆發(fa)争議之後(hou)曾經💌限制(zhi)三種重要(yao)的半導體(ti)材料對韓(han)國的出口(kou)，EUV光刻膠就(jiu)是其中之(zhi)一，爲此韓(han)國公司也(ye)加快了⛹🏻‍♂️EUV光(guang)刻膠的研(yan)發，東進半(ban)導體也是(shi)其中之一(yi)。

 

　　東進半導(dao)體利用自(zi)有的基礎(chu)設施，如現(xian)有的ArF曝光(guang)👻機和比利(li)😁時半導體(ti)研究所I MEC EUV設(she)備，開始進(jin)行EUV光刻膠(jiao)國産㊙️化研(yan)發。

 

　　今年早(zao)些時候，其(qi)加強了EUV光(guang)刻膠專家(jia)并加速了(le)技術開🧛🏾‍♀️發(fa)。此外，三星(xing)電子積極(ji)支持EUV測試(shi)環境，以達(da)到可以在(zai)現場使用(yong)的質量水(shui)平。

 

　　目前尚(shang)不清楚三(san)星電子是(shi)否會立即(ji)将東進半(ban)導💁🏼‍♀️體EUV光刻(ke)膠投入半(ban)導體生産(chan)線。正常情(qing)況下，如果(guo)質量合格(ge)就會投入(ru)量産線✋。因(yin)此，有人預(yu)測最早可(ke)能在明年(nian)上半年供(gong)應。三星電(dian)子和東進(jin)🎅🏿半導體目(mu)前都拒絕(jue)就⛹🏻‍♀️本條新(xin)聞🧜🏼‍♀️表态。三(san)星電子的(de)一位官員(yuan)表👻示：“我們(men)無法與合(he)作公司确(que)認測試是(shi)否通過。”

 

　　就(jiu)該消息而(er)言，三星與(yu)東進半導(dao)體研發的(de)EUV光刻膠産(chan)品隻是成(cheng)♌️功通過了(le)測試，距離(li)量産時間(jian)還不确定(ding)，但這一消(xiao)息也表👾明(ming)三星已經(jing)在EUV光刻膠(jiao)方面取得(de)成功，量産(chan)将隻是時(shi)👩🏼‍❤️‍👨🏾間問題。